Карта памяти HIKSEMI NEO HOME microSDXC, 128 ГБ, UHS-I, V30

Описание:

Высокоскоростная карта памяти microSDXC объемом 128 ГБ

HIKSEMI NEO HOME HS-TF-D1/128G — это карта памяти microSDXC объемом 128 ГБ, предназначенная для хранения данных, фотографий и видео на смарт-устройствах. Она обеспечивает скорость чтения до 92 МБ/с и скорость записи до 50 МБ/с, что позволяет быстро передавать файлы и обеспечивает стабильную работу во время видеозаписи.

Производительность класса 10, UHS-I и V30

Карта памяти соответствует классам скорости Class 10, UHS-I, U1 и V30. Класс V30 обеспечивает стабильную производительность при последовательной записи, благодаря чему карта подходит для записи видео высокого разрешения, а также для использования в фотоаппаратах и других совместимых устройствах.

Память TLC NAND

В серии HIKSEMI NEO HOME используется флэш-память TLC NAND, которая обеспечивает баланс между производительностью, надёжностью хранения данных и долговечностью. Емкость 128 ГБ обеспечивает достаточно места для видеозаписей, фотографий и других файлов.

Защита для повседневного использования

Карта памяти оснащена защитой от воздействия температур, рентгеновского излучения, магнитных полей, падений и износа, что помогает сохранить данные в различных условиях эксплуатации.

Широкая совместимость

Карта совместима с устройствами, поддерживающими карты памяти microSDXC и microSDXC UHS-I. Она подходит для смартфонов, видеокамер, камер наблюдения и других совместимых устройств.

7-летняя ограниченная гарантия

Производитель предоставляет на эту серию NEO HOME 7-летнюю ограниченную гарантию.

Технические характеристики продукта:
Производитель: HIKSEMI
Серия: NEO HOME
Модель: HS-TF-D1/128G
Тип: карта памяти microSDXC
Емкость: 128 ГБ
Интерфейс: UHS-I
Класс скорости: Class 10, U1, V30
Максимальная скорость чтения: 92 МБ/с
Максимальная скорость записи: 50 МБ/с
Тип NAND: TLC
Размеры: 14,99 × 10,92 × 1,02 мм
Рабочая температура: от 0 °C до +70 °C
Температура хранения: от -25 °C до +85 °C
Совместимость: microSDXC, microSDXC UHS-I
Защита: от перепадов температуры, рентгеновского излучения, магнитных полей, падений и износа